晶粒間互聯（Die-to-Die, D2D）IP 完全符合最新UCIe規範，是一款專為下一代多晶粒（multi-die）與 chiplet 架構打造的先進高速介面解決方案
每一項產品皆有其獨特性，而通用型IP往往迫使設計在PPA上做出不必要的妥協。在動輒數億美元的產品開發成本下，這些妥協其實不該存在。
乾瞻科技可依客戶提出之效能、功耗、封裝與可靠度目標，量身打造UCIe IP架構，避免任何不必要的取捨。無論您的優先考量是beachfront密度、金屬層或MIM層縮減、位元錯誤率、功耗效率、延遲、封裝形式或特殊floorplan限制，我們都能與您共同設計，精準符合需求。
隨著資料速率提升、封裝限制增加與版圖條件複雜化，一體適用的ONFI PHY或I/O往往成為瓶頸。乾瞻科技可針對PHY 架構、DQ/DQS時序演算法、驅動強度、終端匹配、訓練流程與 I/O 設計進行完整客製化，並依您的 NAND 組態、訊號完整性環境、die size、金屬堆疊與系統層需求進行最佳化。
服務特色
UCIe與ONFI IP整合服務，可將各IP區塊無縫導入您的SoC或chiplet架構，並提供完整的跨領域SI／PI分析服務。我們與您的工程團隊緊密合作，協助實現更順利的系統 bring-up、更快的開發時程，以及first-silicon success。
UCIe整合服務涵蓋多項關鍵面向的共同最佳化，包括PHY佈局位置、beachfront 規劃、金屬層使用、時序收斂、通訊協定對應（AXI、CXS、CHI-C2C、Streaming）、link training行為、SI／PI餘量評估，以及2.5D／3D封裝限制，以確保D2D連線具備充裕餘量且效能表現可預期。
ONFI整合服務則可依系統需求，量身調整DQ／DQS時序、pad-ring與pin佈局、驅動強度、終端匹配架構、電源網格與IR-drop對齊，以及控制器介面設計，確保高速NAND介面能順利完成時序收斂，並在各種PVT條件下維持穩定且具韌性的運作表現。
主要特色
MIPI D-PHY/C-PHY解決方案完全符合MIPI Alliance標準，支援可擴展的連線距離，包括短距與長距模式，為先進影像與顯示應用提供最佳化的訊號完整性與功耗效率。
主要特色
Custom I/O解決方案涵蓋：GPIO、Over-Drive I/O（ODIO）、Fail-safe I/O、Crystal Interface I/O、 high-ESD protection Circuitry並支援多種標準I/O通訊協定，如RGMII、eMMC與ONFI。所有I/O均可依客戶需求量身打造
最佳化標準元件庫為客戶專屬設計在主流製程節點上提供卓越的 PPA（效能／功耗／面積）效率。其變體專為 高效能運算、AI工作負載與儲存應用而打造，透過最佳化的電晶體架構、多重Vt選項與精細的驅動強度設計，實現更高頻率、更低延遲與更佳的功耗控制並支援 6T、9T 與 12T軌高（track-height）
主要特色
DDR PHY 解決方案 專為在先進製程節點上實現卓越效能、優異功耗效率與出色訊號完整性而打造，奠基於創始研發團隊超過20年DDR PHY開發與量產經驗。該團隊過去曾於當代最先進的製程技術上，成功打造多個世代的領先 DDR PHY IP。
為滿足現代高速DDR介面對效能與時序的嚴苛要求，乾瞻科技PHY架構採用最佳化電晶體結構、多種臨界電壓（Vt）元件選項，以及精準的驅動強度調校，以確保強健的訊號完整性、穩定的時序餘裕，以及優異的PPA（效能／功耗／面積）效率。其底層的實體設計在密度與強健性之間取得良好平衡，使關鍵的資料與命令路徑在寬廣的PVT條件與高資料速率下，仍能維持一致且可靠的效能表現。
結合精心設計的I/O結構、可靠的on-die termination，以及經驗證的校準（calibration）技術，乾瞻科技DDR PHY設計方法論，為客戶建構次世代DRAM子系統提供一個穩固且經矽實證（silicon-proven）的技術基礎，讓產品開發更具信心。
主要特色
LPDDR PHY是一款先進、高效能的實體層（PHY）介面解決方案，專為滿足現代運算與行動裝置應用的嚴苛需求而設計。此PHY支援最新LPDDR5X標準，提供更高資料速率及更低延遲，以及更優異之功耗效率，非常適合應用於智慧型手機、平板電腦、筆電以及高效能運算系統（HPC）等對速度與能源效率高度敏感的場景。
主要特色
DDR/LPDDR Combo PHY同時支援多個世代之DDR與LPDDR記憶體，為HPC、行動裝置與資料中心應用提供高度彈性、向下相容性與供應鏈彈性。該解決方案在高資料速率、低延遲與高能源效率之間取得最佳平衡，確保穩定且可靠的系統效能
主要特色
ONFI 3600 MT/s IP 是一款已完成矽實證（silicon-proven）並廣泛通過商用驗證的NAND介面解決方案，完全符合 ONFI5.1規範。此 IP 針對更嚴謹的電氣特性、時序控制與訊號完整性進行最佳化設計，並整合精進的等化（equalization）、穩健的訓練演算法，以及具韌性的PVT追蹤機制，確保在高速操作下仍能維持穩定可靠的表現。
ONFI 3600 IP已可直接部署，適用於SSD控制器、嵌入式儲存子系統及其他高效能儲存晶片平台，其成熟的量產實績可在廣泛的NAND裝置生態系中，提供可預期且穩定的互通性
主要特色
ONFI 4800 IP是一款次世代NAND介面IP，採用前瞻性的設計理念，預先因應即將定案的ONFI 5.x規範。此IP自底層（ground-up）重新打造，完整納入次世代ONFI 5.x在資料速率、電氣特性、時序要求與架構設計上的需求，同時滿足更嚴格的訊號完整性標準、強化的Command／Address架構，以及更高等級的可靠度設計。
ONFI 4800 IP 提供一套穩健且具前瞻性的解決方案，可在ONFI 5.x標準正式定案後，無縫銜接至次世代Flash裝置。該IP已於多個客戶專案中完成成功投片（tape-out）驗證，具備實際量產的低整合風險實績，並在多種NAND記憶體上展現一致且穩定的互通性。
主要特色
每一項產品皆有其獨特性，而通用型IP往往迫使設計在PPA上做出不必要的妥協。在動輒數億美元的產品開發成本下，這些妥協其實不該存在。
乾瞻科技可依客戶提出之效能、功耗、封裝與可靠度目標，量身打造UCIe IP架構，避免任何不必要的取捨。無論您的優先考量是beachfront密度、金屬層或MIM層縮減、位元錯誤率、功耗效率、延遲、封裝形式或特殊floorplan限制，我們都能與您共同設計，精準符合需求。
隨著資料速率提升、封裝限制增加與版圖條件複雜化，一體適用的ONFI PHY或I/O往往成為瓶頸。乾瞻科技可針對PHY 架構、DQ/DQS時序演算法、驅動強度、終端匹配、訓練流程與 I/O 設計進行完整客製化，並依您的 NAND 組態、訊號完整性環境、die size、金屬堆疊與系統層需求進行最佳化。
服務特色
UCIe與ONFI IP整合服務，可將各IP區塊無縫導入您的SoC或chiplet架構，並提供完整的跨領域SI／PI分析服務。我們與您的工程團隊緊密合作，協助實現更順利的系統 bring-up、更快的開發時程，以及first-silicon success。
UCIe整合服務涵蓋多項關鍵面向的共同最佳化，包括PHY佈局位置、beachfront 規劃、金屬層使用、時序收斂、通訊協定對應（AXI、CXS、CHI-C2C、Streaming）、link training行為、SI／PI餘量評估，以及2.5D／3D封裝限制，以確保D2D連線具備充裕餘量且效能表現可預期。
ONFI整合服務則可依系統需求，量身調整DQ／DQS時序、pad-ring與pin佈局、驅動強度、終端匹配架構、電源網格與IR-drop對齊，以及控制器介面設計，確保高速NAND介面能順利完成時序收斂，並在各種PVT條件下維持穩定且具韌性的運作表現。
主要特色
MIPI D-PHY/C-PHY解決方案完全符合MIPI Alliance標準，支援可擴展的連線距離，包括短距與長距模式，為先進影像與顯示應用提供最佳化的訊號完整性與功耗效率。
主要特色
Custom I/O解決方案涵蓋：GPIO、Over-Drive I/O（ODIO）、Fail-safe I/O、Crystal Interface I/O、 high-ESD protection Circuitry並支援多種標準I/O通訊協定，如RGMII、eMMC與ONFI。所有I/O均可依客戶需求量身打造
最佳化標準元件庫為客戶專屬設計在主流製程節點上提供卓越的 PPA（效能／功耗／面積）效率。其變體專為 高效能運算、AI工作負載與儲存應用而打造，透過最佳化的電晶體架構、多重Vt選項與精細的驅動強度設計，實現更高頻率、更低延遲與更佳的功耗控制並支援 6T、9T 與 12T軌高（track-height）
主要特色
DDR PHY 解決方案 專為在先進製程節點上實現卓越效能、優異功耗效率與出色訊號完整性而打造，奠基於創始研發團隊超過20年DDR PHY開發與量產經驗。該團隊過去曾於當代最先進的製程技術上，成功打造多個世代的領先 DDR PHY IP。
為滿足現代高速DDR介面對效能與時序的嚴苛要求，乾瞻科技PHY架構採用最佳化電晶體結構、多種臨界電壓（Vt）元件選項，以及精準的驅動強度調校，以確保強健的訊號完整性、穩定的時序餘裕，以及優異的PPA（效能／功耗／面積）效率。其底層的實體設計在密度與強健性之間取得良好平衡，使關鍵的資料與命令路徑在寬廣的PVT條件與高資料速率下，仍能維持一致且可靠的效能表現。
結合精心設計的I/O結構、可靠的on-die termination，以及經驗證的校準（calibration）技術，乾瞻科技DDR PHY設計方法論，為客戶建構次世代DRAM子系統提供一個穩固且經矽實證（silicon-proven）的技術基礎，讓產品開發更具信心。
主要特色
LPDDR PHY是一款先進、高效能的實體層（PHY）介面解決方案，專為滿足現代運算與行動裝置應用的嚴苛需求而設計。此PHY支援最新LPDDR5X標準，提供更高資料速率及更低延遲，以及更優異之功耗效率，非常適合應用於智慧型手機、平板電腦、筆電以及高效能運算系統（HPC）等對速度與能源效率高度敏感的場景。
主要特色
DDR/LPDDR Combo PHY同時支援多個世代之DDR與LPDDR記憶體，為HPC、行動裝置與資料中心應用提供高度彈性、向下相容性與供應鏈彈性。該解決方案在高資料速率、低延遲與高能源效率之間取得最佳平衡，確保穩定且可靠的系統效能
主要特色
ONFI 3600 MT/s IP 是一款已完成矽實證（silicon-proven）並廣泛通過商用驗證的NAND介面解決方案，完全符合 ONFI5.1規範。此 IP 針對更嚴謹的電氣特性、時序控制與訊號完整性進行最佳化設計，並整合精進的等化（equalization）、穩健的訓練演算法，以及具韌性的PVT追蹤機制，確保在高速操作下仍能維持穩定可靠的表現。
ONFI 3600 IP已可直接部署，適用於SSD控制器、嵌入式儲存子系統及其他高效能儲存晶片平台，其成熟的量產實績可在廣泛的NAND裝置生態系中，提供可預期且穩定的互通性
主要特色
ONFI 4800 IP是一款次世代NAND介面IP，採用前瞻性的設計理念，預先因應即將定案的ONFI 5.x規範。此IP自底層（ground-up）重新打造，完整納入次世代ONFI 5.x在資料速率、電氣特性、時序要求與架構設計上的需求，同時滿足更嚴格的訊號完整性標準、強化的Command／Address架構，以及更高等級的可靠度設計。
ONFI 4800 IP 提供一套穩健且具前瞻性的解決方案，可在ONFI 5.x標準正式定案後，無縫銜接至次世代Flash裝置。該IP已於多個客戶專案中完成成功投片（tape-out）驗證，具備實際量產的低整合風險實績，並在多種NAND記憶體上展現一致且穩定的互通性。
主要特色
每一項產品皆有其獨特性，而通用型IP往往迫使設計在PPA上做出不必要的妥協。在動輒數億美元的產品開發成本下，這些妥協其實不該存在。
乾瞻科技可依客戶提出之效能、功耗、封裝與可靠度目標，量身打造UCIe IP架構，避免任何不必要的取捨。無論您的優先考量是beachfront密度、金屬層或MIM層縮減、位元錯誤率、功耗效率、延遲、封裝形式或特殊floorplan限制，我們都能與您共同設計，精準符合需求。
隨著資料速率提升、封裝限制增加與版圖條件複雜化，一體適用的ONFI PHY或I/O往往成為瓶頸。乾瞻科技可針對PHY 架構、DQ/DQS時序演算法、驅動強度、終端匹配、訓練流程與 I/O 設計進行完整客製化，並依您的 NAND 組態、訊號完整性環境、die size、金屬堆疊與系統層需求進行最佳化。
服務特色
UCIe與ONFI IP整合服務，可將各IP區塊無縫導入您的SoC或chiplet架構，並提供完整的跨領域SI／PI分析服務。我們與您的工程團隊緊密合作，協助實現更順利的系統 bring-up、更快的開發時程，以及first-silicon success。
UCIe整合服務涵蓋多項關鍵面向的共同最佳化，包括PHY佈局位置、beachfront 規劃、金屬層使用、時序收斂、通訊協定對應（AXI、CXS、CHI-C2C、Streaming）、link training行為、SI／PI餘量評估，以及2.5D／3D封裝限制，以確保D2D連線具備充裕餘量且效能表現可預期。
ONFI整合服務則可依系統需求，量身調整DQ／DQS時序、pad-ring與pin佈局、驅動強度、終端匹配架構、電源網格與IR-drop對齊，以及控制器介面設計，確保高速NAND介面能順利完成時序收斂，並在各種PVT條件下維持穩定且具韌性的運作表現。
主要特色
MIPI D-PHY/C-PHY解決方案完全符合MIPI Alliance標準，支援可擴展的連線距離，包括短距與長距模式，為先進影像與顯示應用提供最佳化的訊號完整性與功耗效率。
主要特色
Custom I/O解決方案涵蓋：GPIO、Over-Drive I/O（ODIO）、Fail-safe I/O、Crystal Interface I/O、 high-ESD protection Circuitry並支援多種標準I/O通訊協定，如RGMII、eMMC與ONFI。所有I/O均可依客戶需求量身打造
最佳化標準元件庫為客戶專屬設計在主流製程節點上提供卓越的 PPA（效能／功耗／面積）效率。其變體專為 高效能運算、AI工作負載與儲存應用而打造，透過最佳化的電晶體架構、多重Vt選項與精細的驅動強度設計，實現更高頻率、更低延遲與更佳的功耗控制並支援 6T、9T 與 12T軌高（track-height）
主要特色
DDR PHY 解決方案 專為在先進製程節點上實現卓越效能、優異功耗效率與出色訊號完整性而打造，奠基於創始研發團隊超過20年DDR PHY開發與量產經驗。該團隊過去曾於當代最先進的製程技術上，成功打造多個世代的領先 DDR PHY IP。
為滿足現代高速DDR介面對效能與時序的嚴苛要求，乾瞻科技PHY架構採用最佳化電晶體結構、多種臨界電壓（Vt）元件選項，以及精準的驅動強度調校，以確保強健的訊號完整性、穩定的時序餘裕，以及優異的PPA（效能／功耗／面積）效率。其底層的實體設計在密度與強健性之間取得良好平衡，使關鍵的資料與命令路徑在寬廣的PVT條件與高資料速率下，仍能維持一致且可靠的效能表現。
結合精心設計的I/O結構、可靠的on-die termination，以及經驗證的校準（calibration）技術，乾瞻科技DDR PHY設計方法論，為客戶建構次世代DRAM子系統提供一個穩固且經矽實證（silicon-proven）的技術基礎，讓產品開發更具信心。
主要特色
LPDDR PHY是一款先進、高效能的實體層（PHY）介面解決方案，專為滿足現代運算與行動裝置應用的嚴苛需求而設計。此PHY支援最新LPDDR5X標準，提供更高資料速率及更低延遲，以及更優異之功耗效率，非常適合應用於智慧型手機、平板電腦、筆電以及高效能運算系統（HPC）等對速度與能源效率高度敏感的場景。
主要特色
DDR/LPDDR Combo PHY同時支援多個世代之DDR與LPDDR記憶體，為HPC、行動裝置與資料中心應用提供高度彈性、向下相容性與供應鏈彈性。該解決方案在高資料速率、低延遲與高能源效率之間取得最佳平衡，確保穩定且可靠的系統效能
主要特色
ONFI 3600 MT/s IP 是一款已完成矽實證（silicon-proven）並廣泛通過商用驗證的NAND介面解決方案，完全符合 ONFI5.1規範。此 IP 針對更嚴謹的電氣特性、時序控制與訊號完整性進行最佳化設計，並整合精進的等化（equalization）、穩健的訓練演算法，以及具韌性的PVT追蹤機制，確保在高速操作下仍能維持穩定可靠的表現。
ONFI 3600 IP已可直接部署，適用於SSD控制器、嵌入式儲存子系統及其他高效能儲存晶片平台，其成熟的量產實績可在廣泛的NAND裝置生態系中，提供可預期且穩定的互通性
主要特色
ONFI 4800 IP是一款次世代NAND介面IP，採用前瞻性的設計理念，預先因應即將定案的ONFI 5.x規範。此IP自底層（ground-up）重新打造，完整納入次世代ONFI 5.x在資料速率、電氣特性、時序要求與架構設計上的需求，同時滿足更嚴格的訊號完整性標準、強化的Command／Address架構，以及更高等級的可靠度設計。
ONFI 4800 IP 提供一套穩健且具前瞻性的解決方案，可在ONFI 5.x標準正式定案後，無縫銜接至次世代Flash裝置。該IP已於多個客戶專案中完成成功投片（tape-out）驗證，具備實際量產的低整合風險實績，並在多種NAND記憶體上展現一致且穩定的互通性。
主要特色
每一項產品皆有其獨特性，而通用型IP往往迫使設計在PPA上做出不必要的妥協。在動輒數億美元的產品開發成本下，這些妥協其實不該存在。
乾瞻科技可依客戶提出之效能、功耗、封裝與可靠度目標，量身打造UCIe IP架構，避免任何不必要的取捨。無論您的優先考量是beachfront密度、金屬層或MIM層縮減、位元錯誤率、功耗效率、延遲、封裝形式或特殊floorplan限制，我們都能與您共同設計，精準符合需求。
隨著資料速率提升、封裝限制增加與版圖條件複雜化，一體適用的ONFI PHY或I/O往往成為瓶頸。乾瞻科技可針對PHY 架構、DQ/DQS時序演算法、驅動強度、終端匹配、訓練流程與 I/O 設計進行完整客製化，並依您的 NAND 組態、訊號完整性環境、die size、金屬堆疊與系統層需求進行最佳化。
服務特色
UCIe與ONFI IP整合服務，可將各IP區塊無縫導入您的SoC或chiplet架構，並提供完整的跨領域SI／PI分析服務。我們與您的工程團隊緊密合作，協助實現更順利的系統 bring-up、更快的開發時程，以及first-silicon success。
UCIe整合服務涵蓋多項關鍵面向的共同最佳化，包括PHY佈局位置、beachfront 規劃、金屬層使用、時序收斂、通訊協定對應（AXI、CXS、CHI-C2C、Streaming）、link training行為、SI／PI餘量評估，以及2.5D／3D封裝限制，以確保D2D連線具備充裕餘量且效能表現可預期。
ONFI整合服務則可依系統需求，量身調整DQ／DQS時序、pad-ring與pin佈局、驅動強度、終端匹配架構、電源網格與IR-drop對齊，以及控制器介面設計，確保高速NAND介面能順利完成時序收斂，並在各種PVT條件下維持穩定且具韌性的運作表現。
主要特色
MIPI D-PHY/C-PHY解決方案完全符合MIPI Alliance標準，支援可擴展的連線距離，包括短距與長距模式，為先進影像與顯示應用提供最佳化的訊號完整性與功耗效率。
主要特色
Custom I/O解決方案涵蓋：GPIO、Over-Drive I/O（ODIO）、Fail-safe I/O、Crystal Interface I/O、 high-ESD protection Circuitry並支援多種標準I/O通訊協定，如RGMII、eMMC與ONFI。所有I/O均可依客戶需求量身打造
最佳化標準元件庫為客戶專屬設計在主流製程節點上提供卓越的 PPA（效能／功耗／面積）效率。其變體專為 高效能運算、AI工作負載與儲存應用而打造，透過最佳化的電晶體架構、多重Vt選項與精細的驅動強度設計，實現更高頻率、更低延遲與更佳的功耗控制並支援 6T、9T 與 12T軌高（track-height）
主要特色
DDR PHY 解決方案 專為在先進製程節點上實現卓越效能、優異功耗效率與出色訊號完整性而打造，奠基於創始研發團隊超過20年DDR PHY開發與量產經驗。該團隊過去曾於當代最先進的製程技術上，成功打造多個世代的領先 DDR PHY IP。
為滿足現代高速DDR介面對效能與時序的嚴苛要求，乾瞻科技PHY架構採用最佳化電晶體結構、多種臨界電壓（Vt）元件選項，以及精準的驅動強度調校，以確保強健的訊號完整性、穩定的時序餘裕，以及優異的PPA（效能／功耗／面積）效率。其底層的實體設計在密度與強健性之間取得良好平衡，使關鍵的資料與命令路徑在寬廣的PVT條件與高資料速率下，仍能維持一致且可靠的效能表現。
結合精心設計的I/O結構、可靠的on-die termination，以及經驗證的校準（calibration）技術，乾瞻科技DDR PHY設計方法論，為客戶建構次世代DRAM子系統提供一個穩固且經矽實證（silicon-proven）的技術基礎，讓產品開發更具信心。
主要特色
LPDDR PHY是一款先進、高效能的實體層（PHY）介面解決方案，專為滿足現代運算與行動裝置應用的嚴苛需求而設計。此PHY支援最新LPDDR5X標準，提供更高資料速率及更低延遲，以及更優異之功耗效率，非常適合應用於智慧型手機、平板電腦、筆電以及高效能運算系統（HPC）等對速度與能源效率高度敏感的場景。
主要特色
DDR/LPDDR Combo PHY同時支援多個世代之DDR與LPDDR記憶體，為HPC、行動裝置與資料中心應用提供高度彈性、向下相容性與供應鏈彈性。該解決方案在高資料速率、低延遲與高能源效率之間取得最佳平衡，確保穩定且可靠的系統效能
主要特色
ONFI 3600 MT/s IP 是一款已完成矽實證（silicon-proven）並廣泛通過商用驗證的NAND介面解決方案，完全符合 ONFI5.1規範。此 IP 針對更嚴謹的電氣特性、時序控制與訊號完整性進行最佳化設計，並整合精進的等化（equalization）、穩健的訓練演算法，以及具韌性的PVT追蹤機制，確保在高速操作下仍能維持穩定可靠的表現。
ONFI 3600 IP已可直接部署，適用於SSD控制器、嵌入式儲存子系統及其他高效能儲存晶片平台，其成熟的量產實績可在廣泛的NAND裝置生態系中，提供可預期且穩定的互通性
主要特色
ONFI 4800 IP是一款次世代NAND介面IP，採用前瞻性的設計理念，預先因應即將定案的ONFI 5.x規範。此IP自底層（ground-up）重新打造，完整納入次世代ONFI 5.x在資料速率、電氣特性、時序要求與架構設計上的需求，同時滿足更嚴格的訊號完整性標準、強化的Command／Address架構，以及更高等級的可靠度設計。
ONFI 4800 IP 提供一套穩健且具前瞻性的解決方案，可在ONFI 5.x標準正式定案後，無縫銜接至次世代Flash裝置。該IP已於多個客戶專案中完成成功投片（tape-out）驗證，具備實際量產的低整合風險實績，並在多種NAND記憶體上展現一致且穩定的互通性。
主要特色
每一項產品皆有其獨特性，而通用型IP往往迫使設計在PPA上做出不必要的妥協。在動輒數億美元的產品開發成本下，這些妥協其實不該存在。
乾瞻科技可依客戶提出之效能、功耗、封裝與可靠度目標，量身打造UCIe IP架構，避免任何不必要的取捨。無論您的優先考量是beachfront密度、金屬層或MIM層縮減、位元錯誤率、功耗效率、延遲、封裝形式或特殊floorplan限制，我們都能與您共同設計，精準符合需求。
隨著資料速率提升、封裝限制增加與版圖條件複雜化，一體適用的ONFI PHY或I/O往往成為瓶頸。乾瞻科技可針對PHY 架構、DQ/DQS時序演算法、驅動強度、終端匹配、訓練流程與 I/O 設計進行完整客製化，並依您的 NAND 組態、訊號完整性環境、die size、金屬堆疊與系統層需求進行最佳化。
服務特色
UCIe與ONFI IP整合服務，可將各IP區塊無縫導入您的SoC或chiplet架構，並提供完整的跨領域SI／PI分析服務。我們與您的工程團隊緊密合作，協助實現更順利的系統 bring-up、更快的開發時程，以及first-silicon success。
UCIe整合服務涵蓋多項關鍵面向的共同最佳化，包括PHY佈局位置、beachfront 規劃、金屬層使用、時序收斂、通訊協定對應（AXI、CXS、CHI-C2C、Streaming）、link training行為、SI／PI餘量評估，以及2.5D／3D封裝限制，以確保D2D連線具備充裕餘量且效能表現可預期。
ONFI整合服務則可依系統需求，量身調整DQ／DQS時序、pad-ring與pin佈局、驅動強度、終端匹配架構、電源網格與IR-drop對齊，以及控制器介面設計，確保高速NAND介面能順利完成時序收斂，並在各種PVT條件下維持穩定且具韌性的運作表現。
主要特色
MIPI D-PHY/C-PHY解決方案完全符合MIPI Alliance標準，支援可擴展的連線距離，包括短距與長距模式，為先進影像與顯示應用提供最佳化的訊號完整性與功耗效率。
主要特色
Custom I/O解決方案涵蓋：GPIO、Over-Drive I/O（ODIO）、Fail-safe I/O、Crystal Interface I/O、 high-ESD protection Circuitry並支援多種標準I/O通訊協定，如RGMII、eMMC與ONFI。所有I/O均可依客戶需求量身打造
最佳化標準元件庫為客戶專屬設計在主流製程節點上提供卓越的 PPA（效能／功耗／面積）效率。其變體專為 高效能運算、AI工作負載與儲存應用而打造，透過最佳化的電晶體架構、多重Vt選項與精細的驅動強度設計，實現更高頻率、更低延遲與更佳的功耗控制並支援 6T、9T 與 12T軌高（track-height）
主要特色
DDR PHY 解決方案 專為在先進製程節點上實現卓越效能、優異功耗效率與出色訊號完整性而打造，奠基於創始研發團隊超過20年DDR PHY開發與量產經驗。該團隊過去曾於當代最先進的製程技術上，成功打造多個世代的領先 DDR PHY IP。
為滿足現代高速DDR介面對效能與時序的嚴苛要求，乾瞻科技PHY架構採用最佳化電晶體結構、多種臨界電壓（Vt）元件選項，以及精準的驅動強度調校，以確保強健的訊號完整性、穩定的時序餘裕，以及優異的PPA（效能／功耗／面積）效率。其底層的實體設計在密度與強健性之間取得良好平衡，使關鍵的資料與命令路徑在寬廣的PVT條件與高資料速率下，仍能維持一致且可靠的效能表現。
結合精心設計的I/O結構、可靠的on-die termination，以及經驗證的校準（calibration）技術，乾瞻科技DDR PHY設計方法論，為客戶建構次世代DRAM子系統提供一個穩固且經矽實證（silicon-proven）的技術基礎，讓產品開發更具信心。
主要特色
LPDDR PHY是一款先進、高效能的實體層（PHY）介面解決方案，專為滿足現代運算與行動裝置應用的嚴苛需求而設計。此PHY支援最新LPDDR5X標準，提供更高資料速率及更低延遲，以及更優異之功耗效率，非常適合應用於智慧型手機、平板電腦、筆電以及高效能運算系統（HPC）等對速度與能源效率高度敏感的場景。
主要特色
DDR/LPDDR Combo PHY同時支援多個世代之DDR與LPDDR記憶體，為HPC、行動裝置與資料中心應用提供高度彈性、向下相容性與供應鏈彈性。該解決方案在高資料速率、低延遲與高能源效率之間取得最佳平衡，確保穩定且可靠的系統效能
主要特色
ONFI 3600 MT/s IP 是一款已完成矽實證（silicon-proven）並廣泛通過商用驗證的NAND介面解決方案，完全符合 ONFI5.1規範。此 IP 針對更嚴謹的電氣特性、時序控制與訊號完整性進行最佳化設計，並整合精進的等化（equalization）、穩健的訓練演算法，以及具韌性的PVT追蹤機制，確保在高速操作下仍能維持穩定可靠的表現。
ONFI 3600 IP已可直接部署，適用於SSD控制器、嵌入式儲存子系統及其他高效能儲存晶片平台，其成熟的量產實績可在廣泛的NAND裝置生態系中，提供可預期且穩定的互通性
主要特色
ONFI 4800 IP是一款次世代NAND介面IP，採用前瞻性的設計理念，預先因應即將定案的ONFI 5.x規範。此IP自底層（ground-up）重新打造，完整納入次世代ONFI 5.x在資料速率、電氣特性、時序要求與架構設計上的需求，同時滿足更嚴格的訊號完整性標準、強化的Command／Address架構，以及更高等級的可靠度設計。
ONFI 4800 IP 提供一套穩健且具前瞻性的解決方案，可在ONFI 5.x標準正式定案後，無縫銜接至次世代Flash裝置。該IP已於多個客戶專案中完成成功投片（tape-out）驗證，具備實際量產的低整合風險實績，並在多種NAND記憶體上展現一致且穩定的互通性。
主要特色
